我国科研团队在高温超导磁控硅单晶生长技术领域取得重要突破

康旅商报网讯：近日，由中国电工技术学会主持、宁夏超导泛科技有限责任公司牵头组织的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在银川举行。

鉴定会上，中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面评估，一致认为该项目颠覆了传统磁拉单晶技术，解决了多项硅单晶生长分析与控制等关键技术难题，填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能达到国际领先水平。

据介绍，高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术，针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈，研制出的高温超导磁控硅单晶生长装备，公司自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术可将硅片含氧量稳定控制在 5ppma以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%，目前已拉出直径达340毫米的高品质硅棒。大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长，能直接解决大尺寸（12英寸以上）高品质硅单晶的低成本、规模化生产，从而实现全产业链降本增效、技术迭代。

“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术产业化做了很多开创性的工作，开辟了超导技术产业化新赛道。”甘子钊表示，该技术对我国实现“双碳”目标具有重要战略意义，将推动我国形成材料自主可控战略安全屏障，为下游万亿级新能源与半导体产业注入全新动能，推动全球硅材料产业格局重构。

宁夏超导泛半导体科技有限责任公司相关负责人表示：“基于银川经开区完整的光伏材料产业链条和西部领先的半导体材料配套能力，这项创新技术的产业化首选落地银川经开区，我们也将加快一期项目的实施，争取年内投产。”（商言）